Ostaa SQM120N06-3M5L_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SQM120N06-3M5L_GE3
- Osa numero:
- SQM120N06-3M5L_GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15822 Pieces
- Tietolomake:
- SQM120N06-3M5L_GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SQM120N06-3M5L_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQM120N06-3M5L_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 29A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 375W (Tc) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | SQM120N06-3M5L_GE3DKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SQM120N06-3M5L_GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 14700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SQM120N06-3M5L_GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | tiedustelu |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | tiedustelu |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
 |
RMW150N03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 15A 8PSOP | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
|
SQM120P06-07L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 | tiedustelu |
 |
FDP8443 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers