Ostaa SQM120P04-04L_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SQM120P04-04L_GE3
- Osa numero:
- SQM120P04-04L_GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18633 Pieces
- Tietolomake:
- SQM120P04-04L_GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SQM120P04-04L_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQM120P04-04L_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263 (D2Pak) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 375W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L-GE3-ND SQM120P04-04L_GE3-ND SQM120P04-04L_GE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SQM120P04-04L_GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13980pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SQM120P04-04L_GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
 |
IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 | tiedustelu |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | tiedustelu |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | tiedustelu |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | tiedustelu |
 |
IRCZ34PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5 | tiedustelu |
 |
NTK3043NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 | tiedustelu |
 |
PHP20N06T,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB | tiedustelu |
|
SQM120P06-07L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 | tiedustelu |
|
STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog