SQM50N04-4M1_GE3
SQM50N04-4M1_GE3
Osa numero:
SQM50N04-4M1_GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 50A TO-263
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17676 Pieces
Tietolomake:
SQM50N04-4M1_GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SQM50N04-4M1_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQM50N04-4M1_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SQM50N04-4M1_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-263 (D²Pak)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.1 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):150W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SQM50N04-4M1-GE3
SQM50N04-4M1-GE3-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Valmistajan osanumero:SQM50N04-4M1_GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6715pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 50A TO-263
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit