Ostaa IXFH52N30Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFH52N30Q
- Osa numero:
- IXFH52N30Q
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14186 Pieces
- Tietolomake:
- IXFH52N30Q.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH52N30Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH52N30Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247AD (IXFH) |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 360W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFH52N30Q |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5300pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 300V 52A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 300V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 52A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFH52N30Q
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH52N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH52N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 | tiedustelu |
 |
IXFH50N85X | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | tiedustelu |
|
IXTH26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-247 | tiedustelu |
 |
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | tiedustelu |
|
IXFH50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | tiedustelu |
 |
AO4437L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8SOIC | tiedustelu |
 |
SIR438DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | tiedustelu |
|
IXFH58N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | tiedustelu |
 |
SIA415DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | tiedustelu |
 |
PMPB12UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | tiedustelu |
|
IXFH50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers