IXFH58N20Q
IXFH58N20Q
Osa numero:
IXFH58N20Q
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18812 Pieces
Tietolomake:
IXFH58N20Q.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH58N20Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH58N20Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFH58N20Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247AD (IXFH)
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 29A, 10V
Tehonkulutus (Max):300W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFH58N20Q
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:140nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit