Ostaa IXFH58N20Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFH58N20Q
- Osa numero:
- IXFH58N20Q
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18812 Pieces
- Tietolomake:
- IXFH58N20Q.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH58N20Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH58N20Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247AD (IXFH) |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 29A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFH58N20Q |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 58A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFH58N20Q
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 | tiedustelu |
 |
IXFH58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | tiedustelu |
 |
IXFH50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH52N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A TO247 | tiedustelu |
 |
IXTR140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
RJK6032DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 3A MP3A | tiedustelu |
 |
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK7 | tiedustelu |
|
IXFH50N85X | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | tiedustelu |
|
IXFH52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD | tiedustelu |
 |
SIHP15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB | tiedustelu |
|
IXFH52N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247 | tiedustelu |
 |
IPI70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | tiedustelu |
 |
TPH3300CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog