Ostaa IXFH52N50P2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFH52N50P2
- Osa numero:
- IXFH52N50P2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 52A TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 20004 Pieces
- Tietolomake:
- IXFH52N50P2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH52N50P2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH52N50P2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247AD (IXFH) |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHV™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 960W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFH52N50P2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 113nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 52A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 52A TO247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 52A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFH52N50P2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | tiedustelu |
 |
BSO301SP H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | tiedustelu |
 |
FDMS86200 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V POWER56 | tiedustelu |
 |
IXFH52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD | tiedustelu |
 |
AOD1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 | tiedustelu |
|
IXFH52N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247 | tiedustelu |
 |
FDD390N15A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK | tiedustelu |
|
IXFH58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD | tiedustelu |
|
FDZ201N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 9A BGA | tiedustelu |
|
IXFH50N85X | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | tiedustelu |
 |
NTD5865NL-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 46A IPAK | tiedustelu |
 |
IRF1010EZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
IXFH50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 | tiedustelu |
 |
IRFI640GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | tiedustelu |
|
IXFH58N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog