STB25NM60N-1
STB25NM60N-1
Osa numero:
STB25NM60N-1
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18934 Pieces
Tietolomake:
STB25NM60N-1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STB25NM60N-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STB25NM60N-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STB25NM60N-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 10.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):160W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:497-5730
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STB25NM60N-1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:84nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit