Ostaa STD4NK50ZD-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STD4NK50ZD-1
- Osa numero:
- STD4NK50ZD-1
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14946 Pieces
- Tietolomake:
- STD4NK50ZD-1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STD4NK50ZD-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD4NK50ZD-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-Pak |
| Sarja: | SuperMESH™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 45W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Muut nimet: | 497-5964-5 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | STD4NK50ZD-1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 310pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STD4NK50ZD-1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
AUIRFZ44ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | tiedustelu |
 |
STD4NK50ZD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | tiedustelu |
|
STD4NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK | tiedustelu |
 |
STD4NK50Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 3A IPAK | tiedustelu |
|
STD4NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | tiedustelu |
|
STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | tiedustelu |
|
STD4NK80Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | tiedustelu |
 |
ZXMN3B04N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC | tiedustelu |
 |
IRFR210TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK | tiedustelu |
 |
BUK9M17-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK | tiedustelu |
|
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | tiedustelu |
|
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | tiedustelu |
|
STD3NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog