STD96N3LLH6
STD96N3LLH6
Osa numero:
STD96N3LLH6
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13228 Pieces
Tietolomake:
STD96N3LLH6.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STD96N3LLH6, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD96N3LLH6 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STD96N3LLH6 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.2 mOhm @ 40A, 10V
Tehonkulutus (Max):70W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:497-11214-2
Käyttölämpötila:175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:26 Weeks
Valmistajan osanumero:STD96N3LLH6
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit