Ostaa STGD3NB60SDT4 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STGD3NB60SDT4
- Osa numero:
- STGD3NB60SDT4
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- IGBT 600V 6A 48W DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13220 Pieces
- Tietolomake:
- STGD3NB60SDT4.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STGD3NB60SDT4, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STGD3NB60SDT4 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 1.5V @ 15V, 3A |
| Testaa kunto: | 480V, 3A, 1 kOhm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 125µs/- |
| Switching Energy: | 1.15mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | D-Pak |
| Sarja: | PowerMESH™ |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 1.7µs |
| Virta - Max: | 48W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | 497-4109-2 |
| Käyttölämpötila: | 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STGD3NB60SDT4 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Gate Charge: | 18nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT 600V 6A 48W Surface Mount D-Pak |
| Kuvaus: | IGBT 600V 6A 48W DPAK |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 25A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 6A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STGD3NB60SDT4
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
|
STGD3NB60FT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 60W DPAK | tiedustelu |
|
STGD3NB60HDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 10A 50W DPAK | tiedustelu |
 |
IXXX200N60C3 | IXYS | IGBT 600V 200A PLUS247 | tiedustelu |
 |
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 7.5A 38W DPAK | tiedustelu |
|
STGD3NB60SD-1 | STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 48W DPAK | tiedustelu |
 |
APT25GR120B | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W TO247 | tiedustelu |
 |
IRGS4715DTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 650V D2-PAK | tiedustelu |
 |
IRG4RC10UTRR | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | tiedustelu |
 |
IXGR35N120C | IXYS | IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
SGW5N60RUFDTM | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 8A 60W D2PAK | tiedustelu |
|
IRG8CH106K10F | Infineon Technologies | IGBT 1200V 110A DIE | tiedustelu |
 |
IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 | tiedustelu |
|
IRG4IBC20FDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog