STP28N60DM2
STP28N60DM2
Osa numero:
STP28N60DM2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 21A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19507 Pieces
Tietolomake:
STP28N60DM2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STP28N60DM2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STP28N60DM2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STP28N60DM2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:MDmesh™ DM2
RDS (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 10.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):170W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:497-16348-5
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:STP28N60DM2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 21A
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit