STW19NM65N
STW19NM65N
Osa numero:
STW19NM65N
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15763 Pieces
Tietolomake:
STW19NM65N.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STW19NM65N, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STW19NM65N sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STW19NM65N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247-3
Sarja:MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:270 mOhm @ 7.75A, 10V
Tehonkulutus (Max):150W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:497-7033-5
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STW19NM65N
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:15.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit