Ostaa TC2320TG-G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
TC2320TG-G
- Osa numero:
- TC2320TG-G
- Valmistaja:
- Micrel / Microchip Technology
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14504 Pieces
- Tietolomake:
- TC2320TG-G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä TC2320TG-G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TC2320TG-G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Virta - Max: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | TC2320TG-G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat TC2320TG-G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4007SPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506 | tiedustelu |
 |
DMP2200UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 | tiedustelu |
 |
AO4821L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC | tiedustelu |
 |
BSO207PNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC | tiedustelu |
 |
EM6K7T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6 | tiedustelu |
 |
QS8K13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8 | tiedustelu |
 |
NTJD2152PT2 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | tiedustelu |
 |
SI4563DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC | tiedustelu |
|
SI4818DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN | tiedustelu |
 |
SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F | tiedustelu |
 |
IXTL2X240N055T | IXYS | MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 | tiedustelu |
 |
DMN2010UDZ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers