TK4P55D(T6RSS-Q)
Osa numero:
TK4P55D(T6RSS-Q)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19331 Pieces
Tietolomake:
TK4P55D(T6RSS-Q).pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TK4P55D(T6RSS-Q), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TK4P55D(T6RSS-Q) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TK4P55D(T6RSS-Q) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.4V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D-Pak
Sarja:π-MOSVII
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.88 Ohm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):80W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:TK4P55DT6RSSQ
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:TK4P55D(T6RSS-Q)
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 550V 4A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):550V
Kuvaus:MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit