Ostaa TK56E12N1,S1X BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220 |
Sarja: | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 28A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 168W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | TK56E12N1,S1X(S TK56E12N1S1X |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | TK56E12N1,S1X |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 60V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 120V 56A (Ta) 168W (Tc) Through Hole TO-220 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 120V |
Kuvaus: | MOSFET N CH 120V 56A TO-220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 56A (Ta) |
Email: | [email protected] |