TK8P60W,RVQ
TK8P60W,RVQ
Osa numero:
TK8P60W,RVQ
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17048 Pieces
Tietolomake:
TK8P60W,RVQ.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TK8P60W,RVQ, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TK8P60W,RVQ sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TK8P60W,RVQ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 400µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK
Sarja:DTMOSIV
RDS (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 4A, 10V
Tehonkulutus (Max):80W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:TK8P60W,RVQ(S
TK8P60WRVQTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:TK8P60W,RVQ
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Super Junction
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit