TN0200K-T1-E3
Osa numero:
TN0200K-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17623 Pieces
Tietolomake:
TN0200K-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TN0200K-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TN0200K-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TN0200K-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 50µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Tehonkulutus (Max):350mW (Ta)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:TN0200K-T1-E3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:TN0200K-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V SOT23-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit