Ostaa TT8U2TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±10V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-TSST |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.25W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
Muut nimet: | TT8U2TRTR TT8U2TRTR-ND |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
Valmistajan osanumero: | TT8U2TR |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.7nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | Schottky Diode (Isolated) |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.4A (Ta) |
Email: | [email protected] |