Ostaa VI10150S-E3/4W BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
VI10150S-E3/4W
- Osa numero:
- VI10150S-E3/4W
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO262AA
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14724 Pieces
- Tietolomake:
- 1.VI10150S-E3/4W.pdf2.VI10150S-E3/4W.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä VI10150S-E3/4W, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma VI10150S-E3/4W sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.2V @ 10A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 150V |
| Toimittaja Device Package: | TO-262AA |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | TMBS® |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 28 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | VI10150S-E3/4W |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Schottky 150V 10A Through Hole TO-262AA |
| diodi Tyyppi: | Schottky |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO262AA |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 150µA @ 150V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 10A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat VI10150S-E3/4W
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
VI10150C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO262 | tiedustelu |
|
VI10150S-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI10150C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI10150SHM3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI10150CHM3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-262AA | tiedustelu |
 |
BYM07-150HE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213 | tiedustelu |
 |
JAN1N4247 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | tiedustelu |
 |
C3D08060G-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO263-2 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog