Ostaa VP2206N2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-39 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 360mW (Tc) |
Pakkaus: | Bulk |
Pakkaus / Case: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
Valmistajan osanumero: | VP2206N2 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 60V 750mA (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 750mA (Tj) |
Email: | [email protected] |