Ostaa BLP10H610AZ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLP10H610AZ
- Osa numero:
- BLP10H610AZ
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14284 Pieces
- Tietolomake:
- BLP10H610AZ.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLP10H610AZ, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLP10H610AZ sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 50V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 104V |
| transistori tyyppi: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Toimittaja Device Package: | 12-HVSON (5x6) |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 10W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 12-VDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | 568-12809-2 934068215531 BLP10H610AZ-ND |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BLP10H610AZ |
| Saada: | 22dB |
| Taajuus: | 860MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 60mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON (5x6) |
| Kuvaus: | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 60mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLP10H610AZ
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H610Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
BLP10H605AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
BLF6G27LS-100,118 | NXP USA Inc. | TRANS PWR LDMOS SOT502 | tiedustelu |
|
BLP10H603Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
PTFB212507SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
J310RLRPG | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA TO92 | tiedustelu |
|
BLP10H603AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
BLF8G10LS-270V,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | tiedustelu |
|
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
BLF573,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A | tiedustelu |
 |
CGHV40030F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 6GHZ 440166 | tiedustelu |
 |
BLF2043F,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C | tiedustelu |
 |
PTFA071701EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 170W H36248-2 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog