Ostaa BLP10H610Z BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLP10H610Z
- Osa numero:
- BLP10H610Z
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18428 Pieces
- Tietolomake:
- BLP10H610Z.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLP10H610Z, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLP10H610Z sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 50V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 104V |
| transistori tyyppi: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Toimittaja Device Package: | 12-HVSON (5x6) |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 10W |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 12-VDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | 568-12810-6 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BLP10H610Z |
| Saada: | 22dB |
| Taajuus: | 860MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 60mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON (5x6) |
| Kuvaus: | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 60mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLP10H610Z
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H603Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
|
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
MHT1006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | tiedustelu |
 |
PTFA092213ELV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | tiedustelu |
|
BLP10H610AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
BLF7G15LS-300P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B | tiedustelu |
 |
BLF145,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 65V 27DB SOT123A | tiedustelu |
 |
BLP10H603AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
BLC8G27LS-240AVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 | tiedustelu |
 |
MRF5P20180HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 | tiedustelu |
|
MRF7S18125AHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S | tiedustelu |
|
BLP10H605AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
MRF19085LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog