Ostaa BLP10H603Z BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLP10H603Z
- Osa numero:
- BLP10H603Z
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17186 Pieces
- Tietolomake:
- BLP10H603Z.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLP10H603Z, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLP10H603Z sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 50V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 104V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | 12-HVSON (5x6) |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 2.5W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 12-VDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | 934068213515 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BLP10H603Z |
| Saada: | 22.8dB |
| Taajuus: | 860MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 50V 15mA 860MHz 22.8dB 2.5W 12-HVSON (5x6) |
| Kuvaus: | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 15mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLP10H603Z
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H610AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
BLP10H603AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
|
BLP10H610Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
|
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
BG3130RH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | tiedustelu |
 |
MRF160 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 249-06 | tiedustelu |
 |
MAGX-000912-500L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN 500W 960-1215MHZ | tiedustelu |
|
BLP10H605AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | tiedustelu |
 |
VRF141G | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 80V 40A DIE | tiedustelu |
 |
MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | tiedustelu |
 |
2SK3079ATE12LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 10V PW-X | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog