BSC123N08NS3GATMA1
BSC123N08NS3GATMA1
Osa numero:
BSC123N08NS3GATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12614 Pieces
Tietolomake:
BSC123N08NS3GATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSC123N08NS3GATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSC123N08NS3GATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSC123N08NS3GATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 33µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:12.3 mOhm @ 33A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 66W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSC123N08NS3 G
BSC123N08NS3 G-ND
BSC123N08NS3 GTR
BSC123N08NS3 GTR-ND
BSC123N08NS3G
SP000443916
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:BSC123N08NS3GATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1870pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit