Ostaa BSC123N08NS3GATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 33µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TDSON-8 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 12.3 mOhm @ 33A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta), 66W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
Muut nimet: | BSC123N08NS3 G BSC123N08NS3 G-ND BSC123N08NS3 GTR BSC123N08NS3 GTR-ND BSC123N08NS3G SP000443916 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | BSC123N08NS3GATMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1870pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 55A (Tc) |
Email: | [email protected] |