Ostaa BSH111,215 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-236AB (SOT23) |
Sarja: | TrenchMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 830mW (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | 568-1657-2 934056036215 BSH111 T/R BSH111215 |
Käyttölämpötila: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | BSH111,215 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 40pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1nC @ 8V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 335mA (Ta) |
Email: | [email protected] |