Ostaa DMC3021LK4-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMC3021LK4-13
- Osa numero:
- DMC3021LK4-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13434 Pieces
- Tietolomake:
- DMC3021LK4-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMC3021LK4-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMC3021LK4-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | TO-252-4L |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 21 mOhm @ 7A, 10V |
| Virta - Max: | 2.7W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Muut nimet: | DMC3021LK4-13DITR DMC3021LK413 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMC3021LK4-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 751pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.4nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 9.4A, 6.8A 2.7W Surface Mount TO-252-4L |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.4A, 6.8A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMC3021LK4-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | tiedustelu |
|
DMC3035LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC | tiedustelu |
|
DMC3028LSDX-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO | tiedustelu |
|
DMC3021LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO | tiedustelu |
|
DMC3026LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO | tiedustelu |
|
DMC3028LSDXQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | tiedustelu |
|
DMC3016LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO | tiedustelu |
|
DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | tiedustelu |
|
DMC3018LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC | tiedustelu |
|
DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | tiedustelu |
|
DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | tiedustelu |
|
DMC3036LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog