FCB36N60NTM
FCB36N60NTM
Osa numero:
FCB36N60NTM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19321 Pieces
Tietolomake:
FCB36N60NTM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FCB36N60NTM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FCB36N60NTM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FCB36N60NTM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263AB)
Sarja:SupreMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 18A, 10V
Tehonkulutus (Max):312W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:FCB36N60NTM-ND
FCB36N60NTMTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:FCB36N60NTM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4785pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 36A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit