FQP4N80
Osa numero:
FQP4N80
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18102 Pieces
Tietolomake:
1.FQP4N80.pdf2.FQP4N80.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä FQP4N80, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma FQP4N80 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa FQP4N80 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:QFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Tehonkulutus (Max):130W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:FQP4N80-ND
FQP4N80FS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:FQP4N80
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:880pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 800V 3.9A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Kuvaus:MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit