Ostaa GPA060A060MN-FD BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
GPA060A060MN-FD
- Osa numero:
- GPA060A060MN-FD
- Valmistaja:
- Global Power Technologies Group
- Kuvaus:
- IGBT 600V 120A 347W TO3PN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13212 Pieces
- Tietolomake:
- GPA060A060MN-FD.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä GPA060A060MN-FD, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma GPA060A060MN-FD sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.3V @ 15V, 60A |
| Testaa kunto: | 400V, 60A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 45ns/150ns |
| Switching Energy: | 2.66mJ (on), 1.53mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-3PN |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 140ns |
| Virta - Max: | 347W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3 |
| Muut nimet: | 1560-1226-1 1560-1226-1-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | GPA060A060MN-FD |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 225nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 600V 120A 347W Through Hole TO-3PN |
| Kuvaus: | IGBT 600V 120A 347W TO3PN |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 180A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 120A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat GPA060A060MN-FD
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FGB30N6S2T | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | tiedustelu |
 |
FGD3245G2_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | ECOSPARK2-450V IGNITION IGBT | tiedustelu |
 |
IXSK40N60CD1 | IXYS | IGBT 600V 75A 280W TO264 | tiedustelu |
 |
RJH1CV5DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 1200V 50A 245W TO-3P | tiedustelu |
 |
FGA25S125P_SN00337 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN | tiedustelu |
 |
STGWA80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO247 | tiedustelu |
 |
RGT30NS65DGTL | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 30A 133W TO-263S | tiedustelu |
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | tiedustelu |
 |
IXGT32N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO268 | tiedustelu |
|
SGH40N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 40A 160W TO3P | tiedustelu |
 |
IRG4PH20KD | Infineon Technologies | IGBT 1200V 11A 60W TO247AC | tiedustelu |
 |
IRGR4607DTRPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 58W DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers