Ostaa RGT30NS65DGTL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RGT30NS65DGTL
- Osa numero:
- RGT30NS65DGTL
- Valmistaja:
- LAPIS Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 650V 30A 133W TO-263S
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15887 Pieces
- Tietolomake:
- RGT30NS65DGTL.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RGT30NS65DGTL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RGT30NS65DGTL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 15A |
| Testaa kunto: | 400V, 15A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 18ns/64ns |
| Switching Energy: | - |
| Toimittaja Device Package: | LPDS (TO-263S) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 55ns |
| Virta - Max: | 133W |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | RGT30NS65DGTLDKR |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | RGT30NS65DGTL |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 32nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 650V 30A 133W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| Kuvaus: | IGBT 650V 30A 133W TO-263S |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 45A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 30A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RGT30NS65DGTL
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | tiedustelu |
 |
STGWS38IH130D | STMicroelectronics | IGBT 1300V 55A 180W TO247 | tiedustelu |
|
STGWA80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO247 | tiedustelu |
 |
IRG4RC10UTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | tiedustelu |
 |
IXGH24N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247 | tiedustelu |
|
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 | tiedustelu |
 |
IRGR4607DTRPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 58W DPAK | tiedustelu |
|
STGW15H120DF2 | STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 | tiedustelu |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | tiedustelu |
 |
SGP23N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 23A 100W TO220 | tiedustelu |
 |
IXYK140N90C3 | IXYS | IGBT 900V 310A 1630W TO264 | tiedustelu |
 |
FGA20N120FTDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 298W TO3PN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog