Ostaa IPA030N10N3 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 270µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO220-FP |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 79A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 41W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
Muut nimet: | IPA030N10N3G IPA030N10N3GXKSA1 SP000464914 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPA030N10N3 G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 14800pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 206nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 79A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 79A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |