IPA032N06N3GXKSA1
IPA032N06N3GXKSA1
Osa numero:
IPA032N06N3GXKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16601 Pieces
Tietolomake:
IPA032N06N3GXKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPA032N06N3GXKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPA032N06N3GXKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPA032N06N3GXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 118µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO220-3-31 Full Pack
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):41W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Muut nimet:IPA032N06N3 G
IPA032N06N3 G-ND
IPA032N06N3G
SP000453608
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPA032N06N3GXKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 84A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:84A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit