Ostaa IPB031N08N5ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 108µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 167W (Tc) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | IPB031N08N5ATMA1DKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPB031N08N5ATMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6240pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 120A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |