Ostaa IPB034N06L3 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 93µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO263-2 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.4 mOhm @ 90A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 167W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | IPB034N06L3 G-ND IPB034N06L3G IPB034N06L3GATMA1 SP000398062 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPB034N06L3 G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 79nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
Email: | [email protected] |