IPB034N06L3 G
IPB034N06L3 G
Osa numero:
IPB034N06L3 G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13198 Pieces
Tietolomake:
IPB034N06L3 G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB034N06L3 G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB034N06L3 G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB034N06L3 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 93µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-2
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 90A, 10V
Tehonkulutus (Max):167W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:IPB034N06L3 G-ND
IPB034N06L3G
IPB034N06L3GATMA1
SP000398062
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPB034N06L3 G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:79nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit