IPB039N10N3 G
IPB039N10N3 G
Osa numero:
IPB039N10N3 G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18560 Pieces
Tietolomake:
IPB039N10N3 G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB039N10N3 G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB039N10N3 G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB039N10N3 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 160µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-7
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.9 mOhm @ 100A, 10V
Tehonkulutus (Max):214W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Muut nimet:IPB039N10N3 G-ND
IPB039N10N3 GTR
IPB039N10N3G
IPB039N10N3GATMA1
SP000482428
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPB039N10N3 G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:8410pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:117nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:160A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit