Ostaa IPB05N03LA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB05N03LA
- Osa numero:
- IPB05N03LA
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18994 Pieces
- Tietolomake:
- IPB05N03LA.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB05N03LA, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB05N03LA sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 50µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 55A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 94W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IPB05N03LAINTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IPB05N03LA |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3110pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 25V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB05N03LA
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | tiedustelu |
 |
IRF7805PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IPB05N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB05N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB057N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | tiedustelu |
|
IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB055N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | tiedustelu |
|
IPB052N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB054N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog