IPB05N03LB G
IPB05N03LB G
Osa numero:
IPB05N03LB G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12797 Pieces
Tietolomake:
IPB05N03LB G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB05N03LB G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB05N03LB G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB05N03LB G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 40µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-3-2
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 60A, 10V
Tehonkulutus (Max):94W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:IPB05N03LB G-ND
IPB05N03LBGINTR
IPB05N03LBGXT
SP000103303
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPB05N03LB G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3209pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit