IPB054N08N3 G
IPB054N08N3 G
Osa numero:
IPB054N08N3 G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17370 Pieces
Tietolomake:
IPB054N08N3 G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPB054N08N3 G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB054N08N3 G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPB054N08N3 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 90µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-2
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.4 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):150W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:IPB054N08N3 G-ND
IPB054N08N3G
IPB054N08N3GATMA1
SP000395166
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPB054N08N3 G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4750pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit