Ostaa IPB240N03S4LR8ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB240N03S4LR8ATMA1
- Osa numero:
- IPB240N03S4LR8ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH TO263-7
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14529 Pieces
- Tietolomake:
- IPB240N03S4LR8ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB240N03S4LR8ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB240N03S4LR8ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 230µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-7-3 |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 0.76 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Muut nimet: | SP000952928 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPB240N03S4LR8ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 26000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 380nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH TO263-7 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 240A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB240N03S4LR8ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 | tiedustelu |
 |
IPB240N03S4LR9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
 |
FQPF28N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F | tiedustelu |
|
IPB240N04S4R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
 |
IRFPC40 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC | tiedustelu |
|
IPB240N04S41R0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
 |
CSD17575Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | tiedustelu |
 |
IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 | tiedustelu |
 |
R6024ENX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | tiedustelu |
 |
IRFS23N20DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXTH32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-247 | tiedustelu |
 |
IRF3711ZCL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog