Ostaa IPB240N04S4R9ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB240N04S4R9ATMA1
- Osa numero:
- IPB240N04S4R9ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH TO263-7
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19638 Pieces
- Tietolomake:
- IPB240N04S4R9ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB240N04S4R9ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB240N04S4R9ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 230µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-7-3 |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 0.87 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Muut nimet: | SP000952896 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPB240N04S4R9ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 290nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH TO263-7 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 240A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB240N04S4R9ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB240N04S41R0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
 |
IXFH70N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 70A TO-247 | tiedustelu |
 |
DMT6010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2 | tiedustelu |
 |
IPS04N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK | tiedustelu |
|
IPB240N03S4LR8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
 |
BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | tiedustelu |
 |
SI7117DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8 | tiedustelu |
 |
DMP1022UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6 | tiedustelu |
 |
IRF6717MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET | tiedustelu |
 |
BSS214NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323 | tiedustelu |
|
IPB240N03S4LR9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
 |
STB70NH03LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers