Ostaa IPB240N04S41R0ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPB240N04S41R0ATMA1
- Osa numero:
- IPB240N04S41R0ATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH TO263-7
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17710 Pieces
- Tietolomake:
- IPB240N04S41R0ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPB240N04S41R0ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPB240N04S41R0ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 180µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-7-3 |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 231W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Muut nimet: | SP000998288 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPB240N04S41R0ATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 17682pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 221nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 240A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH TO263-7 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 240A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPB240N04S41R0ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 | tiedustelu |
 |
IPB240N03S4LR9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
 |
FQP2N30 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220 | tiedustelu |
 |
IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | tiedustelu |
|
IPB240N03S4LR8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
|
IPB240N04S4R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | tiedustelu |
 |
IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | tiedustelu |
 |
IXFQ50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO3P | tiedustelu |
 |
BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | tiedustelu |
 |
SI8824EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | tiedustelu |
 |
STI6N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK | tiedustelu |
 |
NTLJS3180PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog