IPD105N04LGBTMA1
IPD105N04LGBTMA1
Osa numero:
IPD105N04LGBTMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15756 Pieces
Tietolomake:
IPD105N04LGBTMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD105N04LGBTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD105N04LGBTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD105N04LGBTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 14µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 40A, 10V
Tehonkulutus (Max):42W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPD105N04LGBTMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit