Ostaa IPD10N03LA G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10.4 mOhm @ 30A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 52W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IPD10N03LAGXT SP000017602 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan osanumero: | IPD10N03LA G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1358pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 25V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |