Ostaa IPI26CNE8N G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 39µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO262-3 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 35A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 71W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Muut nimet: | SP000208935 SP000680728 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IPI26CNE8N G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2070pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 85V 35A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 85V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |