IXFQ30N60X
IXFQ30N60X
Osa numero:
IXFQ30N60X
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15793 Pieces
Tietolomake:
IXFQ30N60X.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFQ30N60X, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFQ30N60X sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFQ30N60X BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3P
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:155 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):500W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFQ30N60X
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2270pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit