IXFX60N55Q2
IXFX60N55Q2
Osa numero:
IXFX60N55Q2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16750 Pieces
Tietolomake:
IXFX60N55Q2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFX60N55Q2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFX60N55Q2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFX60N55Q2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 8mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PLUS247™-3
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:88 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):735W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXFX60N55Q2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 550V 60A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Valua lähde jännite (Vdss):550V
Kuvaus:MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit