IXFX64N60P
IXFX64N60P
Osa numero:
IXFX64N60P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12533 Pieces
Tietolomake:
IXFX64N60P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFX64N60P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFX64N60P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFX64N60P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PLUS247™-3
Sarja:HiPerFET™, PolarHT™
RDS (Max) @ Id, Vgs:96 mOhm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max):1040W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFX64N60P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 64A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:64A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit