Ostaa IXFX64N60P3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFX64N60P3
- Osa numero:
- IXFX64N60P3
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15460 Pieces
- Tietolomake:
- IXFX64N60P3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFX64N60P3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFX64N60P3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PLUS247™-3 |
| Sarja: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 95 mOhm @ 32A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1130W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFX64N60P3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 64A (Tc) 1130W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 64A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFX64N60P3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX64N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX64N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 | tiedustelu |
 |
VN2460N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3 | tiedustelu |
|
IXFX64N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX64N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX60N55Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX66N85X | IXYS | 850V/66A ULTRA JUNCTION X-CLASS | tiedustelu |
 |
APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | tiedustelu |
 |
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | tiedustelu |
|
IXFX66N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247 | tiedustelu |
 |
FQP27N25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220 | tiedustelu |
|
IXFX62N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog