IXTU01N80
IXTU01N80
Osa numero:
IXTU01N80
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12147 Pieces
Tietolomake:
IXTU01N80.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTU01N80, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTU01N80 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTU01N80 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 25µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-251
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:50 Ohm @ 100mA, 10V
Tehonkulutus (Max):25W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXTU01N80
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 800V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Kuvaus:MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:100mA (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit