Ostaa IXTU01N100D BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTU01N100D
- Osa numero:
- IXTU01N100D
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14130 Pieces
- Tietolomake:
- IXTU01N100D.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTU01N100D, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTU01N100D sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 25µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-251 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 80 Ohm @ 50mA, 0V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTU01N100D |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTU01N100D
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | tiedustelu |
|
SPU08P06P | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 | tiedustelu |
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | tiedustelu |
|
IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | tiedustelu |
|
IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | tiedustelu |
 |
IRF737LCPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IRFS4710PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRFL110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 | tiedustelu |
|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | tiedustelu |
|
SI2333DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 | tiedustelu |
|
IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | tiedustelu |
 |
DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 | tiedustelu |
|
IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | tiedustelu |
|
IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers